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 內(nèi)容編輯

電容器的耐壓

電容兩端所施加之電壓若提高 則其電荷亦增加 但是實際上此電壓並不能任意加高 因為電容器二極片間之距離很小 電壓升高後可能產(chǎn)生電曇 Corona即火花放電 而致電容遭到破壞 是故每一個電容器除了註明容量之外 工作電壓也是一個非常重要的使用數(shù)據(jù)。

2.6  電容器的串併聯(lián)

假如有單位面積之二金屬片 形成一固定的電容量C 則此金屬片之面積若增加為二單位時 容量亦為2C 二單位面積之金屬片未必一定是在一整大張面積 各單位間以導(dǎo)體互為連結(jié) 此稱為電容器之併聯(lián)。

電容器實施併聯(lián)後 其總電容量為各併聯(lián)電容量之和 亦即：

在某些特殊的情形下 電容器亦可串聯(lián)使用 電容器串聯(lián)使用 電容器串聯(lián)時 串聯(lián)容量之倒數(shù)為各容量之倒數(shù)和 亦即：

C = C1 + C2 + C3 …+ Cn

在某些特定的情形下 電容器亦串聯(lián)使用 電容器串聯(lián)時 串聯(lián)容量之倒數(shù)為各容量之倒數(shù)和 亦即：

1/C = 1/ C1 + 1/ C2 + 1/C3 …+ 1/Cn

電容器實施串聯(lián)後 會產(chǎn)生分壓作用 其分壓比為電容量之倒數(shù)比 因此雖施予直流電壓 除非所有串聯(lián)電容量均一樣 否則串聯(lián)後之總耐壓值並非各耐壓值之和。

2.7  電容器之等價電路

以上所述 均為一理想的電容器 亦即是只計電容不計其他。

事實上電容器由於製造技術(shù)或要求忽略等原因 除了有容量之外 亦存在著併聯(lián)的或串聯(lián)的或串聯(lián)的內(nèi)電阻和串聯(lián)電感 圖2-7A即其等價電路。

電路中之g為漏電阻 乃因介質(zhì)或封裝材料之電導(dǎo) 絕緣電阻之倒數(shù) 所引起 更清楚地說 就是介質(zhì)或封裝材料並不是絕對絕緣的 既非絕對絕緣 便有漏電 是故漏電流乃因漏電阻所產(chǎn)生 漏電流會消耗電能 並不是我們所需要的 但不同介質(zhì)和結(jié)構(gòu) 會有不同的漏電流 在使用時 宜視實際要求而選定之。

圖中之Rs為串聯(lián)電阻 串聯(lián)電阻值主要來自電極片和引線之實效電阻 此電阻若不能忽略 那麼電容器在充放電過程中 必因此而消耗一部份電能而變成熟 不僅虛耗功率 電容器本身亦易因熟而遭破壞。

計量串聯(lián)電阻所產(chǎn)生的影響時 常以功率因數(shù) Power factor或逸散因數(shù) Dissipation factor的倒數(shù)來表示 然而在小容量 不做功率用途時 時 卻以Q來表示 Q是逸散因數(shù)的倒數(shù)。

圖中之Ls為串聯(lián)電感 產(chǎn)生之原因主要是由於部份電容器之內(nèi)部結(jié)構(gòu)是由二長條的金屬箔片間以介質(zhì)後纏繞而成 電感對交流電會產(chǎn)生感抗 它與容抗的相移特性正好相反 是故在高頻工作時 串聯(lián)電感的存在宜特別注意